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パワーデバイス関連計測装置およびユニット

IGBT、パワーMOSFETを始め、パワーデバイス測定全般に関する豊富な経験・実績により培われた多くのノウハウを元に、ソリューションを提案させて頂きます。
また最新のSiCやGaNデバイスにも対応できる測定機能やエージング関係の装置も扱っております。
代表的な製品群をもとに、御客様の御要望に合った試験装置及び単体ユニット、試験システムをご提案致します。
特殊仕様のご注文や問い合わせにも対応しておりますのでお気軽にご相談ください。

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高耐圧リーク測定装置


特徴

  • チャンバーと組み合わせて高温高湿条件でパワーMOSFET(SiC,GaNを含む)の連続逆耐圧リーク電流の評価試験装置
  • 最大80チャンネルの同時試験が可能
  • 最大試験電圧1400V、測定電流レンジ 2μA~10mA(分解能0.1%)
  • 試験途中の不良デバイス切り離し、それまでの経過時間およびデーターの保存
  • 試験途中オープンデバイスが発生した場合やケーブル接続不良等の検出
  • チャンバーとテスター間は中継無しに直接接続可能
  • わかりやすい操作画面と試験条件の設定

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パワーサイクルテスター


特徴

  • 常温でパワーMOSFET(SiC,GaNを含む)のパワー測定項目を組み合わせて加熱・冷却の繰り返し試験を連続して行う装置
  • 測定項目はパワー印加ストレス試験、Ron測定、熱抵抗測定および測定条件探索など
  • 最大80チャンネルで同時印加可能、(チャンネルごとに独立したパワーソース)
  • 最大8KW/80ch、1DUTあたり10A/10V/80chまたは20A/10V/40chのパワー印加電力
  • 長時間連続運転の信頼性を確保するためのデバイスの状況把握と装置の自己診断機能
  • わかりやすい操作画面と試験条件の設定

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高電圧計測電源


特徴

  • 最大3KV、1000AまでのIGBTのDCパラメーター試験に対応(2KV、300A仕様等のバージョンも対応可能。 ご相談下さい。)
  • 測定項目 IL、BV、Vsat、Vth、IGSS 他
  • 1in1タイプからCIBタイプまでのバリエーション
  • 高速大電流測定、高速リーク電流測定機能
  • 光通信で高いノイズマージン
  • 特殊機能等にも対可能

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IGBT評価試験装置


特徴

  • 最大2KV/100mAをカバー
  • 電圧レンジ: 500V、1KV、2KV 分解能 0.1%
  • 電流測定レンジ: 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA
  • 電圧「立ち上がり/立下り」プログラマブル
  • 容量性負荷での高速電圧印加機能(AFL)搭載、リーク電流測定の高速化
  • ハイサイド電流測定
  • 低出力ノイズ特性
  • インターフェースはBit対応で即使用可能

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