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- チャンバーと組み合わせて高温高湿条件でパワーＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ，ＧａＮを含む）の
連続逆耐圧リーク電流の評価試験装置
- 最大８０チャンネルの同時試験が可能
- 最大試験電圧１４００V、測定電流レンジ ２μA〜１０mA（分解能０．１％）
- 試験途中の不良デバイス切り離し、それまでの経過時間およびデーターの保存
- 試験途中オープンデバイスが発生した場合やケーブル接続不良等の検出
- チャンバーとテスター間は中継無しに直接接続可能
- わかりやすい操作画面と試験条件の設定
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- 常温でパワーＭＯＳＦＥＴ（ＳｉＣ，ＧａＮを含む）のパワー測定項目を組み合わせて
加熱・冷却の繰り返し試験を連続して行う装置
- 測定項目はパワー印加ストレス試験、Ｒｏｎ測定、熱抵抗測定および測定条件探索など
- 最大８０チャンネルで同時印加可能、（チャンネルごとに独立したパワーソース）
- 最大８KW／８０ch、１DUTあたり１０A／１０V／８０chまたは２０A／１０V／４０chのパワー印加電力
- 長時間連続運転の信頼性を確保するためのデバイスの状況把握と装置の自己診断機能
- わかりやすい操作画面と試験条件の設定
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- 最大３KV、１０００AまでのＩＧＢＴのＤＣパラメーター試験に対応
(２KV、３００A仕様等のバージョンも対応可能。 ご相談下さい。)
- 測定項目 ＩＬ、ＢＶ、Ｖｓａｔ、Ｖｔｈ、ＩＧＳＳ 他
- １ｉｎ１タイプからＣＩＢタイプまでのバリエーション
- 高速大電流測定、高速リーク電流測定機能
- 光通信で高いノイズマージン
- 特殊機能等にも対可能
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- 最大２KV／１００mAをカバー
- 電圧レンジ： ５００V、１KV、２KV 分解能 ０．１％
- 電流測定レンジ： １μA、１０μA、１００μA、１ｍA、１０ｍA
- 電圧「立ち上がり／立下り」プログラマブル
- 容量性負荷での高速電圧印加機能（ＡＦＬ）搭載、リーク電流測定の高速化
- ハイサイド電流測定
- 低出力ノイズ特性
- インターフェースはＢｉｔ対応で即使用可能
