- 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs 、GaN 、InP 等） エピウェーハを非接触・非破壊にてシート抵抗を測定します。
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- 半導体ウェーハの重要な特性評価項目であるキャリア移動度は、これまでホール測定による破壊検査でしか知ることが出来ませんでした。
1600型は、従来のホール測定に代わり非破壊で移動度、シート抵抗、シートチャージ密度の測定を可能にする画期的な装置です。
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フィルムやシート状サンプルの抵抗、導電率を非接触で簡単に測定できます。
データはパソコンで表示、記録、管理が可能です。
FPDや太陽電池、平面照明などの先端材料開発に活用戴けるマニュアル式から、自動マッピング式、更にはインラインへの組み込みのご相談まで幅広く対応致します。
- 水銀プローブと組み合わせることにより、非破壊で深さ方向（X）に対するキャリア濃度（N）の測定を行います。
